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Product Category
測試各種封裝的MOSFET、IGBT、三極管、Diode（小電流器件）進行連續(xù)工作壽命和間歇工作壽命試驗。間歇工作壽命試驗利用芯片的反復開啟和關(guān)閉引起的反復高溫和低溫，加速芯片內(nèi)各種組件材料和結(jié)合面的熱機械應(yīng)力，驗證封裝、內(nèi)部鍵合等承受由芯片操作引起的熱機械應(yīng)力能力。IOL間歇壽命試驗系統(tǒng)HK-IOL-16H
IGBT/SIC模塊功率循環(huán)試驗系統(tǒng) 華科智源-功率循環(huán)老化設(shè)備主要是針對IGBT/SIC的封裝可靠性行進行實驗,通過控制實驗條件再現(xiàn)IGBT封裝的主要兩種失效方式:鍵合線失效和焊料層老化。實驗的關(guān)鍵是控制結(jié)溫的波動范圍以及最高溫度,得到不同條件下的實驗壽命,從而得到IGBT的壽命。
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